Microchip LND150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V, 3-Pin LND150K1-G SOT-23

RS Best.-Nr.:: 333-174
Herst. Teile-Nr.:: LND150K1-G
Marke:: Microchip

Microchip LND150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V, 3-Pin LND150K1-G SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 333-174
Herst. Teile-Nr.:: LND150K1-G
Marke:: Microchip

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Drain-Source-Spannung Vds max.	500V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Serie	LND150
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Channel-Modus	Entleerung
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Microchip
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	Drain-Source-Spannung Vds max. 500V
	Gehäusegröße SOT-23
	Serie LND150
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Channel-Modus Entleerung
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - LND150K1-G

Der Hochspannungs-N-Kanal-Verarmungstransistor von Microchip, der die laterale DMOS-Technologie von Supertex nutzt. Das Gate ist ESD-geschützt. Er ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen Schalter, Präzisionskonstantstromquellen, Spannungsrampenerzeugung und Verstärkung.

Frei von Sekundärpannen

Geringer Leistungsbedarf des Antriebs

Einfaches Parallelisieren

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS

ESD-Gate-Schutz

Microchip LND150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V, 3-Pin LND150K1-G SOT-23

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