Microchip DN3135 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 350 V / 135 mA 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-5144
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3135K1-G
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.1’134.00
Nur noch Restbestände
- Letzte 9’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.378 | CHF.1’118.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-5144
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3135K1-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 135mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 350V | |
| Serie | DN3135 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Normen/Zulassungen | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 135mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 350V | ||
Serie DN3135 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Normen/Zulassungen Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DN3135 ist ein (normally on) Transistor mit Verarmungsmodus und niedrigem Schwellenwert, für den die fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet wurde. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Hohe EingangsimpedanzNiedrige EingangskapazitätSchnelle SchaltgeschwindigkeitenGeringer Widerstand im eingeschalteten ZustandFrei von sekundärer DurchschlagsspannungNiedriger Eingangs- und Leckstrom
Verwandte Links
- Microchip DN3135 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 350 V / 135 mA 1.3 W, 3-Pin DN3135K1-G SOT-23
- Microchip DN3135 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerung 350 V / 72 mA 1.3 W, 3-Pin DN3135N8-G SOT-89
- Microchip LND150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V, 3-Pin LND150K1-G SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 240 V / 350 mA 1.8 W, 4-Pin BSP129H6327XTSA1 SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 0.9 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 250 V / 0.1 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS127I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 0.5 W, 3-Pin SOT-23