Microchip DN3135 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerung 350 V / 72 mA 1.3 W, 3-Pin SOT-89

RS Best.-Nr.:: 649-459
Herst. Teile-Nr.:: DN3135N8-G
Marke:: Microchip

Microchip DN3135 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerung 350 V / 72 mA 1.3 W, 3-Pin SOT-89

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*

CHF.4.15

Auf Lager

Zusätzlich 1’985 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Gurtabschnitt*
5 - 45	CHF.0.83	CHF.4.15
50 - 245	CHF.0.735	CHF.3.65
250 - 495	CHF.0.651	CHF.3.28
500 +	CHF.0.588	CHF.2.94

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 649-459
Herst. Teile-Nr.:: DN3135N8-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Einfache MOSFETs
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	72mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	350V
	Serie	DN3135
	Gehäusegröße	SOT-89
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	35Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.3W
	Durchlassspannung Vf	1.8V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	1.3 mm
	Länge	2.9mm
	Normen/Zulassungen	Lead (Pb)-free/RoHS
	Höhe	1.12mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Einfache MOSFETs
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 350V
	Serie DN3135
	Gehäusegröße SOT-89
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 35Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.3W
	Durchlassspannung Vf 1.8V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 1.3 mm
	Länge 2.9mm
	Normen/Zulassungen Lead (Pb)-free/RoHS
	Höhe 1.12mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - DN3135N8-G

Der Microchip-Transistor mit niedriger Schwelle im Depletion-Modus (normalerweise eingeschaltet) nutzt eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Siliziumgate-Fertigungsprozess. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Durchlasswiderstand

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

Microchip DN3135 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerung 350 V / 72 mA 1.3 W, 3-Pin SOT-89

Verwandte Links