Microchip DN3135 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 350 V / 135 mA 1.3 W, 3-Pin DN3135K1-G SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
DN3135K1-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

135mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

350V

Serie

DN3135

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35Ω

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Durchlassspannung Vf

1.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.02mm

Länge

3.04mm

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

Lead (Pb)-free/RoHS

Automobilstandard

Nein

Der DN3135 ist ein (normally on) Transistor mit Verarmungsmodus und niedrigem Schwellenwert, für den die fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet wurde. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Hohe EingangsimpedanzNiedrige EingangskapazitätSchnelle SchaltgeschwindigkeitenGeringer Widerstand im eingeschalteten ZustandFrei von sekundärer DurchschlagsspannungNiedriger Eingangs- und Leckstrom

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