Microchip DN3525 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerung 250 V / 360 mA 1.6 W, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 649-455
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3525N8-G
- Marke:
- Microchip
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.903 | CHF.4.53 |
| 50 - 245 | CHF.0.798 | CHF.3.98 |
| 250 - 495 | CHF.0.714 | CHF.3.57 |
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*Richtpreis
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- 649-455
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3525N8-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 360mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | DN3525 | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 360mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie DN3525 | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Microchip-Transistor mit niedriger Schwelle im Depletion-Modus (normalerweise eingeschaltet) nutzt eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Siliziumgate-Fertigungsprozess. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind.
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Durchlasswiderstand
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
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