Microchip TN2524 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 240 V / 360 A 1.6 W, 3-Pin TN2524N8-G SOT-89

RS Best.-Nr.:: 264-8919
Herst. Teile-Nr.:: TN2524N8-G
Marke:: Microchip

Microchip TN2524 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 240 V / 360 A 1.6 W, 3-Pin TN2524N8-G SOT-89

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Herst. Teile-Nr.:: TN2524N8-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	360A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	240V
	Serie	TN2524
	Gehäusegröße	SOT-89
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	6mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.6W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.6mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	2.6 mm
	Länge	4.6mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 360A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 240V
	Serie TN2524
	Gehäusegröße SOT-89
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.6W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.6mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 2.6 mm
	Länge 4.6mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - TN2524N8-G

Der N-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert-Verbesserungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Niedriger Schwellenwert (max. 2,0 V)

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität (max. 125 pF)

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundären Störungen

Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks

Microchip TN2524 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 240 V / 360 A 1.6 W, 3-Pin TN2524N8-G SOT-89

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