ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 12 A 23 W, 7-Pin DFN2020Y7LSAA
- RS Best.-Nr.:
- 780-678
- Herst. Teile-Nr.:
- RF9P120BLFRATCR
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 780-678
- Herst. Teile-Nr.:
- RF9P120BLFRATCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | DFN2020Y7LSAA | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 81Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 23W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 0.65mm | |
| Breite | 2.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße DFN2020Y7LSAA | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 81Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 23W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 0.65mm | ||
Breite 2.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Power-MOSFET von ROHM bietet leistungsstarke N-Kanal-Schaltvorgänge für das Energiemanagement im Automobil- und Industriebereich. Dieses AEC-Q101-qualifizierte Gerät wurde für Hochspannungsanwendungen entwickelt und gewährleistet einen effizienten Betrieb in anspruchsvollen Fahrzeugumgebungen.
Drain-Quellenspannung von 100 V
Kontinuierlicher Ablassstrom von 12 A
Kompaktes DFN2020Y-Gehäuse für Oberflächenmontage
Verbesserte thermische Leistung durch freiliegendes Pad
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