ROHM RF9 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 12 A 23 W, 7-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 265-421
- Herst. Teile-Nr.:
- RF9G120BKFRATCR
- Marke:
- ROHM
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|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.609 | CHF.6.12 |
| 100 - 240 | CHF.0.578 | CHF.5.81 |
| 250 - 490 | CHF.0.536 | CHF.5.38 |
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- RS Best.-Nr.:
- 265-421
- Herst. Teile-Nr.:
- RF9G120BKFRATCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | RF9 | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 23W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie RF9 | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 23W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Automotive-MOSFET von ROHM ist AEC-Q101-qualifiziert und damit eine ausgezeichnete Wahl für Fahrerassistenzsysteme, Infotainment, Beleuchtung und Karosserieanwendungen. Sein robustes Design gewährleistet zuverlässige Leistung in kritischen Automobilumgebungen.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Leistungsstarke kleine Formgehäuse
Geringer Widerstand
BenetzbareFlanke
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