ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 2.5 A 2 W, 7-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
223-6397
Herst. Teile-Nr.:
UT6JC5TCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Kabelkanaltyp

Typ P

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.5 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

2 W

Pinanzahl

7

Gehäusegröße

DFN

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

-1.2 V

Höhe

650 μm

Länge

2 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.8 Ω

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.3 nC

Breite

2 mm

The ROHM small signal MOSFET has DFN1010-3W package type. It is mainly used for switching circuits, high side loadswitch and relay driver.

Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package

Side wettable Flanks for automated optical solder inspection

AEC-Q101 qualified

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