ROHM P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 2,5 A, 8-Pin DFN2020
- RS Best.-Nr.:
- 223-6397
- Herst. Teile-Nr.:
- UT6JC5TCR
- Marke:
- ROHM
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- 223-6397
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- UT6JC5TCR
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- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | DFN2020 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,8 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße DFN2020 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,8 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Der Rohm-MOSFET für kleines Signal hat den DFN1010-3W-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich für Schaltkreise, High-Side-Lastschalter und Relaistreiber verwendet.
Extrem kleines und freiliegendes Ableitungspad ohne Kabel für ausgezeichnete Wärmeleitung, SMD-Kunststoffgehäuse
Seitliche benetzbare Flansche für automatisierte optische Lötinspektion
AEC-Q101-qualifiziert
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