ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 2.5 A 2 W, 7-Pin DFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

CHF 9.60

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 05. November 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 25CHF 0.384CHF 9.72
50 - 75CHF 0.384CHF 9.55
100 - 225CHF 0.273CHF 6.79
250 - 975CHF 0.263CHF 6.67
1000 +CHF 0.232CHF 5.71

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
223-6398
Herst. Teile-Nr.:
UT6JC5TCR
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Breite

2mm

Höhe

650μm

Länge

2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

The ROHM small signal MOSFET has DFN1010-3W package type. It is mainly used for switching circuits, high side loadswitch and relay driver.

Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package

Side wettable Flanks for automated optical solder inspection

AEC-Q101 qualified

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.