DiodesZetex Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / -4.5 A 1.5 W, 6-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 133-3343
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2065UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.6.52
Auf Lager
- 1’020 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 + | CHF.0.326 | CHF.6.49 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 133-3343
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2065UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -0.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.2nC | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, MIL-STD-202 | |
| Höhe | 0.56mm | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 2 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -0.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.2nC | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, MIL-STD-202 | ||
Höhe 0.56mm | ||
Länge 2mm | ||
Breite 2 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
P-Kanal-MOSFET, 12 V bis 25 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / -4.5 A 1.5 W, 6-Pin DFN
- DiodesZetex Doppelt DMP Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 26 A 1.5 W, 8-Pin DI5060
- DiodesZetex Doppelt DMP Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.2 A 1.5 W, 8-Pin SOIC
- ROHM RW4E045AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 30 V / 4.5 A 1.5 W, 7-Pin DFN
- ROHM RW4E045AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 30 V / 4.5 A 1.5 W, 7-Pin RW4E045ATTCL1 DFN
- DiodesZetex Doppelt DMP Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.2 A 1.5 W, 8-Pin SOIC DMPH6050SSD-13
- DiodesZetex Doppelt DMP Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 26 A 1.5 W, 8-Pin DI5060 DMPH6050SPD-13
- ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 7-Pin DFN UT6JB5TCR