ROHM RD3G08CBLHRB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 80 A 96 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 264-956
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G08CBLHRBTL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
CHF.6.145
Auf Lager
- Zusätzlich 2’485 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.229 | CHF.6.12 |
| 50 - 95 | CHF.1.166 | CHF.5.81 |
| 100 - 495 | CHF.1.071 | CHF.5.38 |
| 500 - 995 | CHF.0.987 | CHF.4.96 |
| 1000 + | CHF.0.956 | CHF.4.78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-956
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G08CBLHRBTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | RD3G08CBLHRB | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.2mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie RD3G08CBLHRB | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.2mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-MOSFET, der sich durch seine beeindruckende Leistung in verschiedenen Anwendungen auszeichnet. Dieses auf hohe Effizienz ausgelegte Bauteil zeichnet sich durch eine hohe Leistung bei minimaler Wärmeentwicklung aus und ist damit ideal für anspruchsvolle Automobil- und Industrieumgebungen. Sein kompaktes DPAK-Gehäuse gewährleistet eine einfache Integration in platzbeschränkte Layouts, während die RoHS-konforme, bleifreie Konstruktion die Einhaltung moderner Umweltstandards garantiert.
Entspricht den RoHS-Normen zur Gewährleistung der Umweltsicherheit
Kompaktes DPAK-Gehäuse ermöglicht platzsparende Designs
Getestet unter strengen Bedingungen für garantierte Zuverlässigkeit
Verwandte Links
- ROHM RD3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 96 W, 3-Pin RD3G08CBKHRBTL TO-252
- ROHM AG085FG Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 80 A 96 W, 3-Pin AG085FGD3HRBTL TO-252
- ROHM RD3P06BBKH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 59 A 76 W, 8-Pin RD3P06BBKHRBTL TO-252
- ROHM RD3L08CBLHRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 96 W, 3-Pin RD3L08CBLHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM AG185FGD3HRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 96 W, 3-Pin AG185FGD3HRBTL TO-252 (TL)
- ROHM R60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 7 V / 7 A 96 W, 3-Pin R6007RND3TL1 TO-252
- ROHM RH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 80 V / 65 A 59 W, 8-Pin RH6N040BHTB1 HSMT-8
- Microchip DN2625 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 250 V, 3-Pin DN2625K4-G TO-252
