Microchip DN2625 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 250 V, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
598-727
Herst. Teile-Nr.:
DN2625K4-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

DN2625

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Entleerung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Niedrigschwellen-Erschöpfungsmodus-Transistor von Microchip nutzt eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.

Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung

Entwickelt für Quellantrieb

Geringe Schaltverluste

Niedrige effektive Ausgangskapazität

Entwickelt für induktive Lasten

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