STMicroelectronics STD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 480 V / 10 A 92 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 202-4809
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.10.605
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Packung(en) | Pro Packung | Pro Stück* |
|---|---|---|
| 1 - 9 | CHF.10.61 | CHF.2.121 |
| 10 - 19 | CHF.9.02 | CHF.1.808 |
| 20 - 49 | CHF.6.32 | CHF.1.263 |
| 50 - 199 | CHF.6.18 | CHF.1.232 |
| 200 + | CHF.5.38 | CHF.1.081 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-4809
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 480V | |
| Serie | STD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 380mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 92W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 480V | ||
Serie STD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 380mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 92W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal-MDmesh-M6-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse hat geringere Schaltverluste. Es verfügt außerdem über einen niedrigeren RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
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