Microchip DN2470 Typ N-Kanal, Oberfläche HF MOSFET 700 V Entleerung / 170 mA, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 598-941
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2470K4-G
- Marke:
- Microchip
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- 598-941
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2470K4-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | HF MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | DN2470 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.94in | |
| Länge | 0.245in | |
| Breite | 0.265 in | |
| Normen/Zulassungen | RoHS-compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ HF MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie DN2470 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.94in | ||
Länge 0.245in | ||
Breite 0.265 in | ||
Normen/Zulassungen RoHS-compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Niedrigschwellen-Erschöpfungsmodus-Transistor von Microchip nutzt eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Der vertikale DMOS-FET eignet sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine sehr niedrige Schwellenspannung, eine hohe Unterbrechungsspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten gewünscht werden.
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
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