ROHM HT8KB6 Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Entleerung / 15 A 14 W, 8-Pin HSMT-8

RS Best.-Nr.:: 265-123
Herst. Teile-Nr.:: HT8KB6TB1
Marke:: ROHM

ROHM HT8KB6 Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Entleerung / 15 A 14 W, 8-Pin HSMT-8

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RS Best.-Nr.:: 265-123
Herst. Teile-Nr.:: HT8KB6TB1
Marke:: ROHM

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	15A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	HT8KB6
	Gehäusegröße	HSMT-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	17.2mΩ
	Channel-Modus	Entleerung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	14W
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	10.6nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie HT8KB6
	Gehäusegröße HSMT-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.2mΩ
	Channel-Modus Entleerung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 14W
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Automobilstandard Nein

Datasheet - HT8KB6TB1

Der ROHM-MOSFET ist für anspruchsvolle Anwendungen konzipiert, die eine außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Das robuste Design mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Leistungskapazität macht das Produkt zu einer idealen Wahl für Motorantriebe und andere Power-Management-Anforderungen. Er zeichnet sich durch sein kompaktes HSMT8-Gehäuse aus, das eine einfache Integration in verschiedene elektronische Systeme gewährleistet.

Halogenfreies Design unterstützt die Einhaltung globaler Umweltstandards

Garantierte 100% Rg- und UIS-Tests für erhöhte Zuverlässigkeit

Breiter Sperrschichttemperaturbereich ermöglicht vielseitige Anwendungen

Hohe gepulste Drainstromfähigkeit unterstützt anspruchsvolle Betriebsprofile

ROHM HT8KB6 Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Entleerung / 15 A 14 W, 8-Pin HSMT-8

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