Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 314 A 358 W, 8-Pin IAUTN12S5N017ATMA1 PG-HSOF-8-1

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RS Best.-Nr.:
284-669
Herst. Teile-Nr.:
IAUTN12S5N017ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

314A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8-1

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

358W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Kraftfahrzeug-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon wurde für robuste Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt. Mit der OptiMOS 5-Technologie zeichnet es sich durch Effizienz und Zuverlässigkeit aus, was es zu einer idealen Wahl für Automobil-Power-Management-Lösungen macht. Seine N-Kanal-Verbesserungsmodus-Struktur bietet ein hohes Maß an Funktionalität bei gleichzeitiger Einhaltung strenger Industriestandards. Dieser Leistungstransistor wurde entwickelt, um extremen Bedingungen standzuhalten, sorgt für Bedienbarkeit bis zu 175 °C und verfügt über eine erweiterte Qualifikation über AEC Q101 hinaus.

Optimiert für Kfz-Kompatibilität

Verbesserte Prüfung gewährleistet zuverlässige Leistung

Robuste Bauweise mit fortschrittlichem Wärmemanagement

MSL1-Nennleistung unterstützt 260 °C Spitzenreflow

RoHS-konform für umweltfreundliche Initiativen

Lawinenprüfung bestätigt die Übergangsfestigkeit

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