Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 331 A 395 W, 16-Pin PG-HDSOP-16

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RS Best.-Nr.:
284-692
Herst. Teile-Nr.:
IPTC017N12NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

331A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-16

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

16

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

395W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-MOSFET verfügt über einen OptiMOS 6-Leistungstransistor, der für außergewöhnliche Leistungen in Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurde. Mit einem robusten Design verfügt dieser MOSFET-Transistor über eine N-Kanal-Konfiguration, die einen minimalen Widerstand im Zustand und optimierte Gate-Ladeeigenschaften gewährleistet, womit er ideal für moderne elektronische Schaltkreise ist. Die hohe Avalanche-Energieleistung und der weite Betriebstemperaturbereich von bis zu 175°C erhöhen die Zuverlässigkeit in verschiedenen industriellen Anwendungen. Dieses Produkt in einem PG HDSOP 16-Gehäuse kombiniert eine kompakte Größe mit einer hohen thermischen Leistung, was es zu einer wertvollen Wahl für Ingenieure macht, die zuverlässige und effiziente Lösungen für das Strommanagement in anspruchsvollen Umgebungen suchen.

N-Kanal-Konfiguration für hervorragende Kontrolle

Sehr geringer Widerstand reduziert Energieverluste

Optimierte Gate-Ladung für schnelleres Schalten

Hohe Avalanche-Energie erhöht die Robustheit der Schaltung

Zuverlässiger Betrieb bei hohen Temperaturen

Kompaktes PG HDSOP 16-Gehäuse für maximalen Platzbedarf

Pb-freie Bleibeschichtung für umweltfreundliche Designs

Halogenfrei für mehr Nachhaltigkeit in der Elektronik

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