Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 510 A 358 W, 8-Pin IAUTN06S5N008ATMA1 PG-HSOF-8-1

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RS Best.-Nr.:
284-701
Herst. Teile-Nr.:
IAUTN06S5N008ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

510A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-HSOF-8-1

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.76mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

358W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 5 Automotive Power MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen im Automobilbereich entwickelt und zeichnet sich durch außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit aus. Als robustes N-Kanal-Gerät mit Anreicherungsmodus garantiert es überlegene Funktionalität mit verbesserten elektrischen Tests, die den strengen Industriestandards entsprechen. Diese innovative Komponente ist im Kraftfahrzeug-Power-Management äußerst wichtig und bietet eine kompakte Bauweise, die sich nahtlos in verschiedene Kfz-Systeme integriert. Mit einem bemerkenswerten Betriebstemperaturbereich und der Einhaltung von AEC Q101 gewährleistet er eine gleichbleibende Leistung auch unter schwierigen Umweltbedingungen.

Robustes Design erhöht die Zuverlässigkeit

Übertrifft die branchenüblichen Qualifikationen

Wirksamer Wärmewiderstand für das Wärmemanagement

100%ige Lawinenprüfung garantiert Langlebigkeit

RoHS-konform für umweltfreundlichen Gebrauch

Bewältigt hohe Dauerabflussströme

Erweiterte Gate-Ladung für schnelles Schalten

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