Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 8-Pin IQE022N06LM5CGSCATMA1 PG-TSON-8

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284-752
Herst. Teile-Nr.:
IQE022N06LM5CGSCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

99A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PG-TSON-8

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein Leistungstransistor, der für hohe Leistung in Schaltnetzteilen entwickelt wurde und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Er wurde innerhalb der OptiMOS 5-Serie entwickelt und bietet außergewöhnlichen Wirkungsgrad und niedrigen Einschaltwiderstand, womit er eine ideale Wahl für die synchrone Gleichrichtung ist. Mit seiner Pb-freien und RoHS-konformen Konstruktion erfüllt das Produkt nicht nur die neuesten Umweltstandards, sondern gewährleistet auch eine robuste Leistung unter verschiedenen Bedingungen. Dieser Transistor verfügt über ein fortschrittliches Wärmemanagement und ist lawinengeschützt, was einen sicheren Betrieb und eine lange Lebensdauer in kritischen Umgebungen gewährleistet. Seine Fähigkeit zur Ansteuerung auf Logikebene ermöglicht die nahtlose Integration in eine Vielzahl elektronischer Systeme und ist ein weiteres Beispiel für seine Vielseitigkeit und Leistungsstabilität.

Optimiert für hocheffiziente Leistungsumwandlung

Geringer Widerstand für verbesserte Leistung

Bleifreies Design für die Einhaltung der Umweltvorschriften

Lawinengeprüft für erhöhte Zuverlässigkeit

Logikpegelsteuerung vereinfacht Niederspannungsschnittstellen

Thermischer Widerstand für effizientes Wärmemanagement

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