Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 8-Pin IQE046N08LM5SCATMA1 PG-WHSON-8

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RS Best.-Nr.:
284-767
Herst. Teile-Nr.:
IQE046N08LM5SCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

99A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PG-WHSON-8

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-MOSFET ist mit einem OptiMOS 5-Leistungstransistor ausgestattet, der für außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit in Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad ausgelegt ist. Dieser innovative MOSFET wurde für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen entwickelt und integriert fortschrittliche Wärmeverwaltungsfunktionen, um eine überlegene Wärmeableitung zu gewährleisten. Er nutzt eine N-Kanal-Konfiguration auf Logikebene mit extrem niedrigem Durchlasswiderstand und garantiert so einen effizienten Betrieb auch bei hohen Temperaturen. Dieses Bauteil erfüllt strenge Industriestandards und bietet gleichzeitig einen robusten Lawinenschutz, was es zu einer erstklassigen Wahl für industrielle Anwendungen macht, die eine hohe Strombelastbarkeit und Umweltverträglichkeit erfordern.

Optimiert für hohe Schaltleistung

Niedriger Widerstand verbessert die Energieeffizienz

Robuste thermische Leistung für Langlebigkeit

Lawinengeprüft auf Zuverlässigkeit

Pb-freie Bleibeschichtung erfüllt RoHS-Normen

Halogenfrei für umweltfreundliche Konformität

Ideal für strenge industrielle Anwendungen

Kompaktes Paket für einfache Integration

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