Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 99 A, 9-Pin PG-TTFN-9

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-763
Herst. Teile-Nr.:
IQE046N08LM5CGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

99 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

9

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon-MOSFET ist ein Leistungstransistor, der für Hochleistungs-Schaltnetzteile entwickelt wurde und Anwendungen wie die synchrone Gleichrichtung optimiert. Seine innovative N-Kanal-MOSFET-Konstruktion auf Logikebene gewährleistet eine bemerkenswerte Effizienz und minimale Energieverluste. Dieses Produkt verfügt über einen Wärmewiderstand, der das Management bei unterschiedlichen Temperaturen verbessert, und ist vollständig RoHS-konform und halogenfrei, was es zu einer umweltfreundlichen Option macht. Das Gerät wurde mit dem Schwerpunkt auf Zuverlässigkeit gebaut und wurde umfangreichen Tests unterzogen, um eine konstante Leistung in anspruchsvollen industriellen Anwendungen zu gewährleisten. Das fortschrittliche Design verspricht außergewöhnliche Widerstandseigenschaften, die hohe Ströme für eine effiziente Leistungsumwandlung zulassen.

Optimiert für SMPS mit hoher Leistung
N-Kanal-Design reduziert den Widerstand
RoHS-konform für Umweltsicherheit
Lawinengeprüft für garantierte Zuverlässigkeit
Logikpegelbetrieb für niedrige Gate-Spannungen
Hervorragender Wärmewiderstand für kühleren Betrieb
Halogenfrei für umweltfreundliche Initiativen

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