Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 323 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 284-932
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD016N08NM5CGATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.4.347 | CHF.8.69 |
| 20 - 198 | CHF.3.917 | CHF.7.83 |
| 200 - 998 | CHF.3.612 | CHF.7.22 |
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- RS Best.-Nr.:
- 284-932
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD016N08NM5CGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 323A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.57mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 106nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 323A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.57mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 106nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon verfügt über einen OptiMOS 5-Leistungstransistor, der für außergewöhnliche Leistung mit seinem Advanced N-Kanal-Design entwickelt wurde. Dieses robuste Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und ein geringer Einschaltwiderstand von größter Bedeutung sind. Er arbeitet mit einer Durchbruchspannung von 80 V und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen. Mit seinem überragenden Wärmewiderstandsprofil hält dieser Leistungstransistor den harten Anforderungen industrieller Anwendungen stand und ist damit eine ideale Lösung für Ingenieure, die die Energieeffizienz von Power-Management-Systemen verbessern wollen. Darüber hinaus garantiert der umfassende Validierungsprozess die Einhaltung höchster Zuverlässigkeits- und Sicherheitsstandards und stellt sicher, dass Ihre Entwürfe sowohl leistungsfähig als auch widerstandsfähig sind.
N-Kanal für effiziente Stromleitung
Niedriger Einschaltwiderstand minimiert den Leistungsverlust
Hervorragendes Wärmemanagement für Langlebigkeit
100% lawinengeprüft auf Stabilität
Pb-frei und RoHS-konform
Halogenfreie Konstruktion für Sicherheit
JEDEC-qualifiziert für industrielle Anwendungen
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