Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 610 A 333 W, 9-Pin IQD005N04NM6CGATMA1 PG-TTFN-9

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Herst. Teile-Nr.:
IQD005N04NM6CGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

610A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.47mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

129nC

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon verfügt über einen OptiMOS 6-Leistungstransistor, der eine außergewöhnliche Leistung mit robuster Zuverlässigkeit kombiniert, was ihn zu einer TOP-Wahl für anspruchsvolle Anwendungen macht. Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für industrielle Umgebungen entwickelt und bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V und einen beeindruckenden Dauer-Drain-Strom von bis zu 610 A. Dieses Halbleitergerät zeichnet sich durch sein thermisches Management aus, womit es ideal für Hochtemperatur- und Hochleistungs-Einstellungen ist, was eine längere Lebensdauer und eine konsistente Leistung unter Last erleichtert. Das Gerät ist umweltfreundlich, RoHS-konform und halogenfrei und entspricht damit den modernen Umweltstandards bei gleichzeitig hoher technischer Qualität.

Hervorragende thermische Beständigkeit für Zuverlässigkeit

Robuste Leistung in stark beanspruchten Umgebungen

100% lawinengeprüft und sicher

Außergewöhnliche Effizienz bei der Energieverwaltung

Entspricht den Umweltvorschriften

Minimale Schaltverluste für Hochfrequenzbetrieb

Kompaktes Design reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte

Einfache Integration in industrielle Systeme

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