Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 610 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 284-925
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD005N04NM6CGATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 284-925
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- IQD005N04NM6CGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 610A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-TTFN-9 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.47mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 129nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 610A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-TTFN-9 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.47mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 129nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon verfügt über einen OptiMOS 6-Leistungstransistor, der eine außergewöhnliche Leistung mit robuster Zuverlässigkeit kombiniert, was ihn zu einer TOP-Wahl für anspruchsvolle Anwendungen macht. Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für industrielle Umgebungen entwickelt und bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V und einen beeindruckenden Dauer-Drain-Strom von bis zu 610 A. Dieses Halbleitergerät zeichnet sich durch sein thermisches Management aus, womit es ideal für Hochtemperatur- und Hochleistungs-Einstellungen ist, was eine längere Lebensdauer und eine konsistente Leistung unter Last erleichtert. Das Gerät ist umweltfreundlich, RoHS-konform und halogenfrei und entspricht damit den modernen Umweltstandards bei gleichzeitig hoher technischer Qualität.
Hervorragende thermische Beständigkeit für Zuverlässigkeit
Robuste Leistung in stark beanspruchten Umgebungen
100% lawinengeprüft und sicher
Außergewöhnliche Effizienz bei der Energieverwaltung
Entspricht den Umweltvorschriften
Minimale Schaltverluste für Hochfrequenzbetrieb
Kompaktes Design reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte
Einfache Integration in industrielle Systeme
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