Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 789 A 278 W, 9-Pin IQDH35N03LM5CGATMA1 PG-TTFN-9

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RS Best.-Nr.:
284-943
Herst. Teile-Nr.:
IQDH35N03LM5CGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

789A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-MOSFET mit OptiMOS 5-Leistungstransistor ist ein Beispiel für modernste MOSFET-Technologie, die in erster Linie für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde. Dieser Transistor arbeitet mit einer Spannung von 25 V und ist für ein beispielloses Wärmemanagement und einen niedrigen Widerstand ausgelegt, was eine hervorragende Effizienz in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet. Gefertigt mit fortschrittlichen Materialien und nach den höchsten Industriestandards, zeichnet es sich durch seine Fähigkeit aus, hohe Stromlasten zu bewältigen und gleichzeitig einen niedrigen Energieverlust aufrechtzuerhalten. Das einzigartige Design unterstützt eine robuste Wärmebeständigkeit und erleichtert eine effektive Wärmeableitung, selbst in kompakten Layouts.

N-Kanal-Technologie für schnelles Schalten

Geringer Widerstand reduziert Energieverluste

Hervorragender Wärmewiderstand für Zuverlässigkeit

Vollständig qualifiziert für industrielle Haltbarkeit

Lawinengeprüft für konstante Leistung

Pb-freie Beschichtung unterstützt Nachhaltigkeit

Halogenfreie Konstruktion erfüllt Sicherheitsstandards

Kompaktes Design für leichte Integration

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