Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 151 A 100 W, 9-Pin PG-TTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 284-951
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE022N06LM5CGATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 284-951
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE022N06LM5CGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 151A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-TTFN-9 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 151A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-TTFN-9 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon ist ein Hochleistungs-Leistungs-Transistor, der für anspruchsvolle Stromverwaltungsanwendungen entwickelt wurde. Es zeigt die Advanced OptiMOS 5-Technologie, die für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen optimiert ist. Das innovative Design sorgt für einen sehr niedrigen Widerstand beim Einschalten und bietet überlegene thermische Eigenschaften, die die Zuverlässigkeit und Effizienz erhöhen. Dieses Produkt mit einer Nennspannung von 60 V eignet sich aufgrund seiner robusten Lawinenprüfung und der Einhaltung der RoHS-Normen besonders für industrielle Anwendungen. Mit seinem N-Kanal-Design auf Logikstufe vereinfacht er die Integration in Ihren Stromkreis und sorgt gleichzeitig für eine hervorragende Betriebsleistung.
Optimiert für hocheffiziente Leistungsumwandlung
Logik-N-Kanal für einfache Schnittstelle
100% lawinengeprüft und zuverlässig
RoHS-konform, für Umweltsicherheit
Halogenfrei und unterstützt Nachhaltigkeitsstandards
JEDEC-validiert für industrielle Anwendungen
Überlegenes thermisches Management verlängert die Lebensdauer
Hoher durchgehender Ablassstrom für anspruchsvolle Lasten
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 151 A 100 W, 9-Pin IQE022N06LM5CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 445 A 333 W, 9-Pin IQD009N06NM5CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 610 A 333 W, 9-Pin IQD005N04NM6CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 789 A 278 W, 9-Pin IQDH29NE2LM5CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 447 A 333 W, 9-Pin IQDH88N06LM5CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 333 W, 9-Pin IQD020N10NM5CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 323 A 333 W, 9-Pin IQD016N08NM5CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 637 A 333 W, 9-Pin IQDH45N04LM6CGATMA1 PG-TTFN-9