Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 151 A 100 W, 9-Pin IQE022N06LM5CGATMA1 PG-TTFN-9

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RS Best.-Nr.:
284-951
Herst. Teile-Nr.:
IQE022N06LM5CGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

151A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon ist ein Hochleistungs-Leistungs-Transistor, der für anspruchsvolle Stromverwaltungsanwendungen entwickelt wurde. Es zeigt die Advanced OptiMOS 5-Technologie, die für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen optimiert ist. Das innovative Design sorgt für einen sehr niedrigen Widerstand beim Einschalten und bietet überlegene thermische Eigenschaften, die die Zuverlässigkeit und Effizienz erhöhen. Dieses Produkt mit einer Nennspannung von 60 V eignet sich aufgrund seiner robusten Lawinenprüfung und der Einhaltung der RoHS-Normen besonders für industrielle Anwendungen. Mit seinem N-Kanal-Design auf Logikstufe vereinfacht er die Integration in Ihren Stromkreis und sorgt gleichzeitig für eine hervorragende Betriebsleistung.

Optimiert für hocheffiziente Leistungsumwandlung

Logik-N-Kanal für einfache Schnittstelle

100% lawinengeprüft und zuverlässig

RoHS-konform, für Umweltsicherheit

Halogenfrei und unterstützt Nachhaltigkeitsstandards

JEDEC-validiert für industrielle Anwendungen

Überlegenes thermisches Management verlängert die Lebensdauer

Hoher durchgehender Ablassstrom für anspruchsvolle Lasten

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