Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 284-935
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD020N10NM5CGATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.8.758
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.4.379 | CHF.8.76 |
| 20 - 198 | CHF.3.948 | CHF.7.90 |
| 200 - 998 | CHF.3.633 | CHF.7.27 |
| 1000 - 1998 | CHF.3.381 | CHF.6.75 |
| 2000 + | CHF.3.024 | CHF.6.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 284-935
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD020N10NM5CGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 273A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.05mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 273A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.05mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon-MOSFET verfügt über einen OptiMOS 5-Leistungstransistor, der einen bedeutenden Fortschritt in der MOSFET-Technologie darstellt und auf anspruchsvolle industrielle Anwendungen zugeschnitten ist. Dieser robuste Transistor wurde entwickelt, um außergewöhnliche Leistung mit überlegenem Wärmemanagement zu liefern, womit er eine ideale Wahl für Systeme ist, die eine effiziente Energieumwandlung und -verwaltung erfordern. Mit einer Nennspannung von 100 V und einem beeindruckend niedrigen Durchgangswiderstand bietet dieses Produkt eine hohe Belastbarkeit bei gleichzeitig geringen Energieverlusten. Seine zuverlässige Leistung wird auch durch umfangreiche Validierungen gestützt, die eine gesicherte Funktionalität unter verschiedenen Betriebsbedingungen gewährleisten.
N-Kanal-Design für effizientes Schalten
Niedriger Einschaltwiderstand minimiert den Leistungsverlust
Außergewöhnliche Wärmebeständigkeit verlängert die Lebensdauer
100% lawinengeprüft und zuverlässig
RoHS-konform für Umweltfreundlichkeit
Halogenfreies Material für Umweltstandards
Zuverlässig in Umgebungen mit hohen Temperaturen
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