Infineon OptiMOS Power Transistor P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,7 A, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
284-791
Herst. Teile-Nr.:
ISZ15EP15LMATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

2,7 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8 FL

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon-MOSFET ist ein Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET, der für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde, die außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Dieser Leistungstransistor arbeitet mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 150 V und ist damit eine ausgezeichnete Wahl für verschiedene Leistungsschalteranwendungen. Die fortschrittliche OptiMOS-Technologie sorgt für einen sehr geringen Einschaltwiderstand und damit für minimalen Leistungsverlust während des Betriebs. Darüber hinaus ist dieses Bauteil vollständig RoHS-konform und halogenfrei, was sein umweltfreundliches Design unterstreicht. Die strengen Avalanche-Tests und die Einhaltung der JEDEC-Normen für industrielle Anwendungen machen diesen Baustein zu einer robusten und vielseitigen Option für Ingenieure, die ihre Schaltungsdesigns mit zuverlässiger Technologie verbessern wollen.

Unterstützt problemlos Hochspannungsanwendungen
Hervorragende thermische Leistung und Effizienz
Logischer Schwellenwert für leichteres Fahren
Kompaktes Gehäuse für platzsensitive Designs
100% lawinengeprüft und zuverlässig

Verwandte Links