Infineon OptiMOS Power Transistor P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10,3 A, 8-Pin PG-TSDSON-8 FL

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-795
Herst. Teile-Nr.:
ISZ24DP10LMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

10,3 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8 FL

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon MOSFET ist ein OptiMOS-Leistungstransistor, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Zuverlässigkeit und Effizienz erfordern. Mit seiner P-Kanal-Konfiguration und einer beeindruckenden Durchbruchsspannung von 100 V verspricht dieser Baustein einen optimalen Betrieb unter einer Reihe von Bedingungen. Sein einzigartiges Enhancement-Mode-Design sorgt für minimalen Widerstand, während das Gerät vollständig RoHS-konform und halogenfrei ist, was es zu einer umweltfreundlichen Wahl macht. Der Leistungstransistor bietet eine bemerkenswerte thermische Leistung, inspiriert durch fortschrittliche Kopplungstechnologien, die eine hohe Effizienz für industrielle Anwendungen gewährleisten. Er ist vollständig nach den JEDEC-Richtlinien qualifiziert, was Vertrauen in die langfristige Betriebsstabilität schafft.

Außergewöhnliche Leistung bei Hochgeschwindigkeitsschaltungen
Gattersteuerung auf Logikniveau für einfache Schnittstellenanbindung
Verbesserter Wärmewiderstand für mehr Zuverlässigkeit
Erfüllt strenge Anforderungen für industrielle Anwendungen
Kompakte Größe für effiziente PCB-Platznutzung
Vollständig qualifiziert nach Industriestandards

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