Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 24 A 43 W, 8-Pin PG-TSDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-798
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ330N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 284-798
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ330N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Gehäusegröße | PG-TSDSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Gehäusegröße PG-TSDSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon-MOSFET wurde entwickelt, um die hohen Anforderungen moderner elektronischer Anwendungen zu erfüllen und bietet optimale Effizienz und Zuverlässigkeit. Die Advanced OptiMOS 6-Technologie ermöglicht es dieser Komponente, eine außergewöhnliche Leistung unter verschiedenen Betriebsbedingungen zu liefern, wodurch sie eine TOP-Wahl für Ingenieure und Entwickler bleibt. Sein robustes Design spiegelt eine sorgfältige Balance zwischen hohen Schaltgeschwindigkeiten und niedrigem Einschaltwiderstand wider, was ihn zu einem ausgezeichneten Kandidaten für Hochfrequenzanwendungen wie Synchrongleichrichtung und Leistungsmanagement macht. Der Transistor eignet sich besonders gut für industrielle Umgebungen, da seine thermische Leistung sowohl für große Betriebsbereiche als auch für hohe Belastungen geeignet ist.
Optimiert für hochfrequentes Schalten
Pb-freie Bleibeschichtung für Konformität
Halogenfrei für ökologische Nachhaltigkeit
MSL 1 klassifiziert für zuverlässige Montage
Hervorragender Wärmewirkungsgrad mit geringem Einschaltwiderstand
Ausgezeichnete Gate-Ladung für schnelleres Schalten
Vollständig qualifiziert nach JEDEC-Normen
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