Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 24 A 43 W, 8-Pin PG-TSDSON-8

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RS Best.-Nr.:
284-798
Herst. Teile-Nr.:
ISZ330N12LM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-MOSFET wurde entwickelt, um die hohen Anforderungen moderner elektronischer Anwendungen zu erfüllen und bietet optimale Effizienz und Zuverlässigkeit. Die Advanced OptiMOS 6-Technologie ermöglicht es dieser Komponente, eine außergewöhnliche Leistung unter verschiedenen Betriebsbedingungen zu liefern, wodurch sie eine TOP-Wahl für Ingenieure und Entwickler bleibt. Sein robustes Design spiegelt eine sorgfältige Balance zwischen hohen Schaltgeschwindigkeiten und niedrigem Einschaltwiderstand wider, was ihn zu einem ausgezeichneten Kandidaten für Hochfrequenzanwendungen wie Synchrongleichrichtung und Leistungsmanagement macht. Der Transistor eignet sich besonders gut für industrielle Umgebungen, da seine thermische Leistung sowohl für große Betriebsbereiche als auch für hohe Belastungen geeignet ist.

Optimiert für hochfrequentes Schalten

Pb-freie Bleibeschichtung für Konformität

Halogenfrei für ökologische Nachhaltigkeit

MSL 1 klassifiziert für zuverlässige Montage

Hervorragender Wärmewirkungsgrad mit geringem Einschaltwiderstand

Ausgezeichnete Gate-Ladung für schnelleres Schalten

Vollständig qualifiziert nach JEDEC-Normen

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