Infineon EasyPACK N-Kanal Dual MOSFET 1200 V / 30 A, 23-Pin AG-EASY1B

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-812
Herst. Teile-Nr.:
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Serie

EasyPACK

Gehäusegröße

AG-EASY1B

Pinanzahl

23

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Transistor-Werkstoff

SiC

Das Infineon-MOSFET-Modul wurde mit Blick auf robuste Leistung entwickelt und integriert die fortschrittliche CoolSiC-Trench-MOSFET-Technologie für verbesserte Effizienz und Wärmemanagement. Dieses Modul eignet sich nicht nur für Anwendungen mit hoher Stromdichte, sondern auch für Anwendungen mit geringer Induktivität, was es ideal für anspruchsvolle industrielle Umgebungen macht. Dieses Modul eignet sich für verschiedene Anwendungen, darunter auch für Photovoltaikanlagen, und zeichnet sich durch seine Zuverlässigkeit und die Einhaltung internationaler Normen aus, die für Qualität und Präzision in der Technik stehen.

Hochleistungs-NTC-Sensor für die thermische Überwachung
PressFIT-Technologie vereinfacht die Installation und erhöht die Haltbarkeit
Isolationsprüfspannung gewährleistet Zuverlässigkeit in Extremsituationen
Niedriger Einschaltwiderstand maximiert die Energieeffizienz
Entspricht den IEC-Normen für industrielle Zuverlässigkeit
Robustes Design widersteht anspruchsvollen Umgebungen

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