Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 63 A 347 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 284-900
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT65R040CFD7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 9 | CHF.7.66 |
| 10 - 99 | CHF.6.90 |
| 100 - 499 | CHF.6.35 |
| 500 - 999 | CHF.5.89 |
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 97nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 347W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 97nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 347W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Der Infineon MOSFET ist ein hochmoderner MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde. Dieses Produkt ist ein Beispiel für überlegene thermische Leistung und eignet sich daher ideal für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen wie Server- und Telekommunikationssektoren. Mit seiner innovativen CoolMOS CFD7-Technologie verspricht er herausragende Zuverlässigkeit und Effizienz, insbesondere bei resonanten Schalttopologien, einschließlich LLC- und Phasenschieber-Vollbrückenanwendungen. Dieser MOSFET ist eine Weiterentwicklung seines Vorgängers mit verbesserten Schaltfähigkeiten und einem niedrigen Durchlasswiderstand, wodurch die Leistungsdichte optimiert und die Gesamteffektivität Ihrer Designs verbessert wird. Das Gerät wurde für die strengen Anforderungen industrieller Anwendungen entwickelt und bietet eine ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung, während es gleichzeitig eine außergewöhnliche Leistung über einen breiten Temperaturbereich bietet.
Ultra schnelle Body-Diode minimiert Schaltverluste
Klassenbester RDS(on) für mehr Effizienz
Robust gegen harte Kommutierung für Zuverlässigkeit
Bewältigt erhöhte Busspannung für Sicherheit
Optimiert für hohe Leistungsdichte in kompakten Designs
Hervorragende Leistung bei geringer Last für industrielle SMPS-Anwendungen
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