Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 63 A 347 W, 8-Pin

RS Best.-Nr.:: 284-900
Herst. Teile-Nr.:: IPT65R040CFD7XTMA1
Marke:: Infineon

Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 63 A 347 W, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:: 284-900
Herst. Teile-Nr.:: IPT65R040CFD7XTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	63A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	PG-HSOF-8
	Serie	650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	40mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	97nC
	Maximale Verlustleistung Pd	347W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	JEDEC

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße PG-HSOF-8
	Serie 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 97nC
	Maximale Verlustleistung Pd 347W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen JEDEC

Datasheet - IPT65R040CFD7XTMA1

Der Infineon MOSFET ist ein hochmoderner MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde. Dieses Produkt ist ein Beispiel für überlegene thermische Leistung und eignet sich daher ideal für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen wie Server- und Telekommunikationssektoren. Mit seiner innovativen CoolMOS CFD7-Technologie verspricht er herausragende Zuverlässigkeit und Effizienz, insbesondere bei resonanten Schalttopologien, einschließlich LLC- und Phasenschieber-Vollbrückenanwendungen. Dieser MOSFET ist eine Weiterentwicklung seines Vorgängers mit verbesserten Schaltfähigkeiten und einem niedrigen Durchlasswiderstand, wodurch die Leistungsdichte optimiert und die Gesamteffektivität Ihrer Designs verbessert wird. Das Gerät wurde für die strengen Anforderungen industrieller Anwendungen entwickelt und bietet eine ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung, während es gleichzeitig eine außergewöhnliche Leistung über einen breiten Temperaturbereich bietet.

Ultra schnelle Body-Diode minimiert Schaltverluste

Klassenbester RDS(on) für mehr Effizienz

Robust gegen harte Kommutierung für Zuverlässigkeit

Bewältigt erhöhte Busspannung für Sicherheit

Optimiert für hohe Leistungsdichte in kompakten Designs

Hervorragende Leistung bei geringer Last für industrielle SMPS-Anwendungen

Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 63 A 347 W, 8-Pin

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