Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 19 A, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
284-913
Herst. Teile-Nr.:
IPT65R155CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

19 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon MOSFET ist ein Leistungsbauelement, das mit seiner fortschrittlichen coolMOS-Technologie Effizienz und Leistung in Hochspannungsanwendungen neu definiert. Er wurde speziell für resonante Schalttopologien entwickelt und verfügt über bemerkenswerte Schaltfähigkeiten, die erhebliche Energieeinsparungen und ein verbessertes Wärmemanagement gewährleisten. Das neueste Angebot erweitert die Möglichkeiten der Spannungsklasse und ist ein würdiger Nachfolger der bisherigen Modelle. Die ultraschnelle Body-Diode in Kombination mit der überragenden Robustheit der harten Kommutierung macht diesen Baustein zur optimalen Wahl für strenge industrielle Anforderungen, insbesondere in Bereichen wie Telekommunikation und Laden von Elektrofahrzeugen.

Ultraschnelle Body-Diode steigert die Betriebseffizienz
Hohe Durchbruchspannung gewährleistet zusätzliche Sicherheit
Klassenbester RDS(on) senkt Leitungsverluste
Hervorragende Leistung bei geringer Last steigert die Effizienz
Optimiert für Server- und Solaranwendungen

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