Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin PG-HSOF-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-912
Herst. Teile-Nr.:
IPT65R125CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

23 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon-MOSFET ist ein hochmoderner MOSFET, der die Leistungseffizienz in anspruchsvollen Anwendungen steigert. Dieser Baustein zeichnet sich durch eine branchenführende Schaltleistung aus und ist im PG HSOF 8-Gehäuse gekapselt, wodurch das Wärmemanagement optimiert und die Betriebszuverlässigkeit maximiert wird. Mit einer bemerkenswerten Durchbruchspannung von 650 V ist er für eine hohe Leistungsdichte ausgelegt und ein wesentliches Bauteil für resonante Schalttopologien wie LLC- und Phasenschieber-Vollbrückenwandler. Er erfüllt nicht nur die strengen Standards für Effizienz und Zuverlässigkeit, sondern unterstützt auch Designs, die eine höhere Leistungsspanne und eine verbesserte Leistung über eine Reihe von Betriebstemperaturen erfordern.

Ultraschnelle Body-Diode erhöht die Leistung
Reduziert Schaltverluste für mehr Energieeffizienz
Hervorragende Widerstandsfähigkeit für anspruchsvolle Anwendungen
Unterstützt erhöhte Busspannung für Sicherheit
Hervorragender Wirkungsgrad bei geringer Last für den industriellen Einsatz

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