Infineon 600V CoolMOS G7 SJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 23 A 141 W, 8-Pin HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 214-4426
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R102G7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.3.545 | CHF.17.75 |
| 10 - 20 | CHF.3.202 | CHF.15.99 |
| 25 - 45 | CHF.2.98 | CHF.14.91 |
| 50 - 120 | CHF.2.808 | CHF.14.04 |
| 125 + | CHF.2.596 | CHF.12.96 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4426
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R102G7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Serie | 600V CoolMOS G7 SJ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 102mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 141W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Serie 600V CoolMOS G7 SJ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 102mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 141W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.4mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon 600 V Cool MOS G7 SJ MOSFET vereint die Vorteile der verbesserten 600 V Cool MOS TM C7 Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) zu ermöglichen
Er ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum
Sie hat die Produktionskosten gesenkt
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