Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 43 A, 8-Pin PG-HSOF-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-903
Herst. Teile-Nr.:
IPT65R060CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

43 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon-MOSFET ist ein hocheffizienter Leistungsbaustein mit modernster Technologie, der für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Die neueste Version des 650-V-CoolMOS CFD7 zeichnet sich durch eine außergewöhnliche Schaltleistung in Verbindung mit einem hervorragenden thermischen Verhalten aus, was ihn zur idealen Wahl für resonante Schalttopologien wie LLC und phasenverschobene Vollbrücken macht. Als Nachfolger des CoolMOS CFD2 verspricht er überlegene Effizienz und Zuverlässigkeit in industriellen Anwendungen, die von Servern bis zu EV-Ladelösungen reichen. Dieser Baustein ermöglicht es Ingenieuren, die Grenzen der Leistungsdichte und des Wärmemanagements in ihren Designs zu erweitern und eine robuste Leistung auch unter hohen Temperaturbedingungen zu gewährleisten.

Ultraschnelle Body-Diode erhöht die Effizienz
Optimiert für hohe Leistungsdichte
Klassenbester RDS(on) minimiert den Verlust
Gleichbleibende Leistung bei allen Temperaturen
Außergewöhnliche Effizienz bei geringer Last
Erhöhte Sicherheitsspannen für Hochspannung
Vollständig JEDEC-qualifiziert

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