Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 8-Pin PG-HSOF-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-909
Herst. Teile-Nr.:
IPT65R099CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

28 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon-MOSFET verfügt über einen fortschrittlichen 650-V-CoolMOS-CFD7-Leistungsbaustein, der für außergewöhnliche Leistung in resonanten Schalttopologien, einschließlich LLC- und Phasenverschiebungs-Vollbrückenanwendungen, ausgelegt ist. Mit dem Schwerpunkt auf verbesserter Effizienz und thermischem Verhalten ist dieses Produkt eine ideale Lösung für anspruchsvolle Anwendungen wie Server, Telekommunikationssysteme und das Laden von Elektrofahrzeugen. Der Einbau einer schnellen Body-Diode erhöht die Zuverlässigkeit, insbesondere bei schnellen Schaltvorgängen. Als Weiterentwicklung der bewährten CFD2-Serie bietet dieser innovative MOSFET überlegene Schalteigenschaften und eine verbesserte Robustheit gegenüber harten Kommutierungsereignissen. Sein Design erfüllt nicht nur die Industriestandards für Effizienz und thermische Leistung, sondern übertrifft sie sogar, was ihn zu einer unschätzbaren Komponente für Lösungen mit hoher Leistungsdichte macht.

Ultraschnelle Body-Diode für Hochgeschwindigkeitsleistung
Minimiert Schaltverluste für optimale Energienutzung
Außergewöhnliche Robustheit für zusätzliche Sicherheit
Optimiert für industrielle SMPS-Anwendungen
Vollständig JEDEC-qualifiziert für industrielle Umgebungen
Unterstützt hohe Leistungsdichte für kompakte Designs
Entwickelt für phasenverschobene Vollbrückenintegration

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