Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 4.3 A 1.3 W, 3-Pin Mikro

RS Best.-Nr.:: 301-316
Herst. Teile-Nr.:: IRLML6401TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 4.3 A 1.3 W, 3-Pin Mikro

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.2.205

Auf Lager

Zusätzlich 135 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Zusätzlich 665 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Zusätzlich 233’225 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	CHF.0.441	CHF.2.21
50 - 245	CHF.0.378	CHF.1.87
250 - 495	CHF.0.284	CHF.1.44
500 - 1245	CHF.0.242	CHF.1.21
1250 +	CHF.0.20	CHF.1.00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 301-316
Herst. Teile-Nr.:: IRLML6401TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	12V
	Gehäusegröße	Mikro
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	50mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	10nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.3W
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3.04mm
	Höhe	1.02mm
	Breite	1.4 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 12V
	Gehäusegröße Mikro
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.3W
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3.04mm
	Höhe 1.02mm
	Breite 1.4 mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 4,3A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,3W maximale Verlustleistung - IRLML6401TRPBF

Dieser P-Kanal-MOSFET ist auf Effizienz ausgelegt und eignet sich daher für Anwendungen, die ein effektives Power-Management erfordern. Durch den Einsatz der HEXFET-Technologie bietet er einen niedrigen Durchlasswiderstand, was zu einer geringeren Verlustleistung im Betrieb führt. Dank seiner robusten Bauweise kann er hohen Temperaturen standhalten und eignet sich daher für Umgebungen, in denen es auf Leistung ankommt.

Eigenschaften und Vorteile

• Fortschrittliche Verarbeitung für sehr niedrigen On-Widerstand

• Maximale Drain-Source-Spannung von 12V

• Kontinuierliche Stromaufnahmefähigkeit von 4,3 A

• Sperrschichttemperaturtoleranz bis zu 150°C

• Optimiert für schnell schaltende Anwendungen zur Steigerung der Effizienz

• Kompaktes SOT-23-Gehäuse für platzsparende Schaltungsdesigns

Anwendungsbereich

• Batterie- und Lastmanagementsysteme

• Tragbare Elektronik, wo flache Komponenten erforderlich sind

• Energieverwaltungslösungen in PCMCIA-Karten

• Automatisierungssysteme, die zuverlässiges Schalten erfordern

• Elektronische Schaltungen, die ein kompaktes oberflächenmontiertes Design benötigen

Welche Auswirkungen haben höhere Temperaturen auf die Leistung?

Höhere Temperaturen können den Durchlasswiderstand erhöhen, was die Effizienz verringern kann. Das Gerät arbeitet sicher bis zu 150°C und behält seine Funktionalität auch unter schwierigen Bedingungen bei.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb aus?

Die Gate-Schwellenspannung, die zwischen 0,4V und 0,95V liegt, gibt die Mindestspannung an, die zur Aktivierung des Bauelements erforderlich ist. Die Einhaltung dieses Bereichs gewährleistet eine effektive Lastschaltung.

Ist dieses Produkt für schnell schaltende Anwendungen geeignet?

Ja, der MOSFET ermöglicht schnelle Übergänge zwischen Ein- und Aus-Zuständen, wodurch Energieverluste verringert und die Reaktionsfähigkeit der Schaltung verbessert werden.

Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation zu treffen?

Es ist ratsam, einen geeigneten Kühlkörper zu verwenden, wenn Sie in der Nähe der maximalen Stromstärke arbeiten, um eine Überhitzung zu vermeiden. Aufgrund des oberflächenmontierten Designs wird eine ordnungsgemäße Löttechnik empfohlen.

Kann dieses Gerät für Anwendungen mit hoher Leistung verwendet werden?

Das Gerät kann kontinuierlich 4,3A verwalten; für eine optimale Leistung ist es jedoch unerlässlich, die Leistungsanforderungen der jeweiligen Anwendung und das Wärmemanagement zu bewerten.