Microchip TC6320 Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
333-204
Herst. Teile-Nr.:
TC6320TG-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

TC6320

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Bei den MOSFETs von Microchip handelt es sich um Hochspannungs-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs mit niedriger Schwelle in 8-poligen VDFN- und SOIC-Gehäusen. Beide MOSFETs haben integrierte Gate-Source-Widerstände und Gate-Source-Zenerdioden-Klemmen, die für Hochspannungsanwendungen erwünscht sind. Es handelt sich um ein komplementäres Hochgeschwindigkeits-Hochspannungs-MOSFET-Paar mit geklemmtem N-Kanal und P-Kanal, das eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet.

Integrierter Gate-Source-Widerstand

Integrierte Gate-Source-Zenerdiode

Niedrige Schwelle

Geringer Widerstand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Frei von Sekundärpannen

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

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