Infineon IGC033 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 76 A 45 W, 6-Pin PG-VSON-6
- RS Best.-Nr.:
- 351-971
- Herst. Teile-Nr.:
- IGC033S10S1XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 351-971
- Herst. Teile-Nr.:
- IGC033S10S1XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 76A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PG-VSON-6 | |
| Serie | IGC033 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.1mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 76A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PG-VSON-6 | ||
Serie IGC033 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.1mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der Serie IGC033 von Infineon, 100 V Drain-Source-Spannung, 76 A kontinuierlicher Drain-Strom – IGC033S10S1XTMA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierter Elektronik entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen, während er gleichzeitig eine leitungsarme Leitung für Leistungsmanagement- und Umwandlungsaufgaben bietet.
Merkmale und Vorteile:
• 3,3 mΩ Drain-Source-Widerstand für minimale Leitungsverluste
• 76 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht das Schalten hoher Lasten
• 100 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsanwendungen
• 11 nC typische Gate-Ladung für schnellere Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 45 W für hohe Lasten
• 5,5 V maximale Gate-Source-Toleranz für Kompatibilität mit Niederspannungsantrieben
• 76 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht das Schalten hoher Lasten
• 100 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsanwendungen
• 11 nC typische Gate-Ladung für schnellere Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 45 W für hohe Lasten
• 5,5 V maximale Gate-Source-Toleranz für Kompatibilität mit Niederspannungsantrieben
Anwendungsbereiche
• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Motortreiberstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Wird zum Schalten von Hochspannungslasten in industriellen Systemen verwendet
• Kann für die Server- und Telekommunikations-Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
• Ideal für Motortreiberstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Wird zum Schalten von Hochspannungslasten in industriellen Systemen verwendet
• Kann für die Server- und Telekommunikations-Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
Welche Gehäusetypen sollte ich für meine Platine planen?
Er wird in einem PG-VSON-6-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das eine 6-polige Grundfläche und ein Wärmeleitpad zur Wärmeableitung erfordert.
Wie wirkt sich der Temperaturbereich auf die Einsatzentscheidungen aus?
Mit einem Betriebsbereich von -40 bis 150 °C kann es in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen eingesetzt werden, obwohl das Layout eine ausreichende Wärmeleitung gewährleisten muss, um innerhalb der Verlustgrenzen zu bleiben.
Welche Gate-Drive-Ebenen sind für das Schalten akzeptabel?
Die Antriebsspannungen dürfen 5,5 V zwischen Gate und Quelle nicht überschreiten
sind typische Niederspannungs-Gate-Drive-Schaltkreise angesichts der geringen Gate-Ladung geeignet.
Gibt es spezifische Überlegungen zum Verlustleistungsmanagement?
Die maximale Leistung von 45 W erfordert eine ausreichende Kupferfläche oder einen Kühlkörper auf der Leiterplatte und Berücksichtigung des Arbeitszyklus, um eine Überhitzung der Verbindung zu verhindern.
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