Infineon IGC033 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 76 A 45 W, 6-Pin PG-VSON-6
- RS Best.-Nr.:
- 351-971
- Herst. Teile-Nr.:
- IGC033S10S1XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 351-971
- Herst. Teile-Nr.:
- IGC033S10S1XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 76A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IGC033 | |
| Gehäusegröße | PG-VSON-6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 76A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IGC033 | ||
Gehäusegröße PG-VSON-6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolGaN-Transistor von Infineon ist ein normalerweise ausgeschalteter E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN 3x5-Gehäuse, das Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand ist er die ideale Wahl für zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Hochspannungs- und Hochstromanwendungen.
Klassenbeste Leistungsdichte
Höchste Effizienz
Verbesserte Temperaturregelung
Ermöglichung kleinerer und leichterer Designs
Ausgezeichnete Zuverlässigkeit
Senkung der Stücklistenkosten
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