Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 21 A 128 W, 4-Pin PG-VSON-4
- RS Best.-Nr.:
- 273-2790
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL65R099C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2790
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL65R099C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | IPL | |
| Gehäusegröße | PG-VSON-4 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 128W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie IPL | ||
Gehäusegröße PG-VSON-4 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 128W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
Der MOSFET von Infineon ist ein Leistungstransistor der Serie CoolMOS C7 mit 650 V. CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies vorangetrieben wurde. Bei der Serie CoolMOS C7 wird die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Anbieters mit erstklassiger Innovation kombiniert. Das Produktportfolio vereint alle Vorteile schnell schaltender Super-Junction-MOSFETs mit besserem Wirkungsgrad, reduzierter Gate-Ladung, einfacher Implementierung und herausragender Zuverlässigkeit.
Bleifreie Beschichtung
RoHS-konform
Geringere Schaltverluste
Erhöhung der Leistungsdichte
Ermöglichung höherer Frequenzen
Halogenfreie Formmasse
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