Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 67 W, 4-Pin PG-VSON-4

RS Best.-Nr.:: 273-5350
Herst. Teile-Nr.:: IPL65R230C7AUMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 67 W, 4-Pin PG-VSON-4

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 273-5350
Herst. Teile-Nr.:: IPL65R230C7AUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	700V
	Serie	CoolMOS C7
	Gehäusegröße	PG-VSON-4
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.23Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	67W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	20nC
	Durchlassspannung Vf	0.8V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	JEDEC(J-STD20 andJESD22)
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 700V
	Serie CoolMOS C7
	Gehäusegröße PG-VSON-4
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.23Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 67W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC
	Durchlassspannung Vf 0.8V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen JEDEC(J-STD20 andJESD22)
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPL65R230C7AUMA1

Der Leistungs-MOSFET von Infineon wurde mit revolutionärer CoolMOSTM-Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs gebaut. Er wurde nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt. Die Serie CoolMOSTM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Anbieters mit hochwertiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von Hochgeschwindigkeits-Super-Junction-MOSFETs mit besserer Effizienz, reduzierter Gate-Ladung, einfacher Implementierung und hervorragender Zuverlässigkeit.

Halogenfrei

Besserer Wirkungsgrad

Bleifreie Kabelbeschichtung

Hohe Leistungsdichte

Bessere Kontrolle des Gates

Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 67 W, 4-Pin PG-VSON-4

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