Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 67 W, 4-Pin PG-VSON-4
- RS Best.-Nr.:
- 273-5349
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL65R230C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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- 273-5349
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL65R230C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | PG-VSON-4 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.23Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 67W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC(J-STD20 andJESD22) | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße PG-VSON-4 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.23Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 67W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC(J-STD20 andJESD22) | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon wurde mit revolutionärer CoolMOSTM-Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs gebaut. Er wurde nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt. Die Serie CoolMOSTM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Anbieters mit hochwertiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von Hochgeschwindigkeits-Super-Junction-MOSFETs mit besserer Effizienz, reduzierter Gate-Ladung, einfacher Implementierung und hervorragender Zuverlässigkeit.
Halogenfrei
Besserer Wirkungsgrad
Bleifreie Kabelbeschichtung
Hohe Leistungsdichte
Bessere Kontrolle des Gates
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