Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 122 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9070
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R104C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF 5.909 | CHF 29.53 |
| 10 - 20 | CHF 5.323 | CHF 26.59 |
| 25 - 45 | CHF 4.969 | CHF 24.83 |
| 50 - 120 | CHF 4.666 | CHF 23.34 |
| 125 + | CHF 4.313 | CHF 21.56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9070
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R104C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 104mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 122W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 104mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 122W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für harte und weiche Schaltfunktionen geeignet. Es kommt mit Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte aufgrund kleinerer Gehäuse. Es enthält optimierte Leiterplattenmontage und Layoutlösungen.
Geeignet für hartes und weiches Schalten
SMD-Gehäuse mit sehr geringer parasitärer Induktivität für einfaches Gerät Steuerung
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