STMicroelectronics N-Kanal STK615 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 672 A, 4-Pin PowerLeaded
- RS Best.-Nr.:
- 358-981
- Herst. Teile-Nr.:
- STK615N4F8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.3.476
Vorübergehend ausverkauft
- 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.3.48 |
| 10 - 99 | CHF.3.13 |
| 100 - 499 | CHF.2.89 |
| 500 - 999 | CHF.2.69 |
| 1000 + | CHF.2.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 358-981
- Herst. Teile-Nr.:
- STK615N4F8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Betriebsfrequenz | 1 MHz | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 672A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Ausgangsleistung | 390W | |
| Gehäusegröße | PowerLeaded | |
| Serie | STK615 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | N-Kanal | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Breite | 8.15 mm | |
| Länge | 8.15mm | |
| Höhe | 1.85mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Betriebsfrequenz 1 MHz | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 672A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Ausgangsleistung 390W | ||
Gehäusegröße PowerLeaded | ||
Serie STK615 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration N-Kanal | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Breite 8.15 mm | ||
Länge 8.15mm | ||
Höhe 1.85mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus von STMicroelectronics wurde in STripFET F8-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur entwickelt. Er gewährleistet eine hochmoderne Leistungszahl für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand und reduziert gleichzeitig die internen Kapazitäten und die Gate-Ladung für ein schnelleres und effizienteres Schalten.
AEC Q101 qualifiziert
Klasse MSL1
175 Grad C maximale Sperrschichttemperatur
100 Prozent lawinengeprüft
Verwandte Links
- STMicroelectronics N-Kanal STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 167 A, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal STL160 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 160 A, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal STHU60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Erweiterung / 54 A, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics N-Kanal STL160 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 160 A, 8-Pin PowerFLAT STL160N6LF7
- STMicroelectronics N-Kanal STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 167 A, 8-Pin PowerFLAT STL170N4LF8
- STMicroelectronics N-Kanal STHU60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Erweiterung / 54 A, 7-Pin HU3PAK STHU60N046DM9AG
- STMicroelectronics N-Kanal STH65N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 51 A, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics N-Kanal STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 545 A, 8-Pin TO-LL
