Taiwan Semiconductor Gemeinsamer Drain TSM6968D N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.5 A 1.5 W, 8-Pin TSSOP
- RS Best.-Nr.:
- 398-449
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM6968DCA RVG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | TSM6968D | |
| Gehäusegröße | TSSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain | |
| Länge | 4.5mm | |
| Normen/Zulassungen | ESD Protected 2KV | |
| Breite | 3.1mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie TSM6968D | ||
Gehäusegröße TSSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain | ||
Länge 4.5mm | ||
Normen/Zulassungen ESD Protected 2KV | ||
Breite 3.1mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zweifacher N-Kanal Leistungs-MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Taiwan Semiconductor
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