Taiwan Semiconductor Gemeinsamer Drain TSM6968D N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.5 A 1.04 W, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
146-2235
Herst. Teile-Nr.:
TSM6968DCA RVG
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSSOP

Serie

TSM6968D

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.04W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-12V, +12V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.1mm

Normen/Zulassungen

ESD Protected 2KV

Länge

4.5mm

Höhe

1.05mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifacher N-Kanal Leistungs-MOSFET, Taiwan Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Taiwan Semiconductor


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