Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 500 V / 350 mA 2.5 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
598-063
Herst. Teile-Nr.:
DN2535N5-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal-DMOS-FET

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-252 (D-PAK-3)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Entleerungsmodus

Durchlassspannung Vf

1.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3 mm

Länge

4.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS, ISO/TS‑16949

Höhe

2.29mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Transistor mit niedrigem Schwellenwert für den Erschöpfungsmodus von Microchip nutzt eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

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