Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 500 V / 350 mA 2.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 598-869
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3545N8-G
- Marke:
- Microchip
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- DN3545N8-G
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal-DMOS-FET | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Entleerungsmodus | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.29mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| Breite | 3 mm | |
| Länge | 4.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal-DMOS-FET | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-252 (D-PAK-3) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Entleerungsmodus | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.29mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
Breite 3 mm | ||
Länge 4.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Depletion-Modus-Transistoren von Microchip verwenden eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Diese Kombination produziert Geräte mit den Leistungsummantelungsfähigkeiten von bipolaren Transistoren und mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Geräten innewohnen. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen sind diese Geräte frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
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